聚焦世界闪存峰会 大厂新品迭出

中国品牌价值网获悉，上周世界闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）在美国拉开序幕，世界主要的硬件厂商纷纷参与其中。作为国际顶尖的科技盛会，它代表了当代闪存技术的研发前沿，各大知名品牌纷纷推出了最新的产品，赚足了世界的目光。

三星（Samsung）：增强数据中心时代的闪存创新

一直以来，三星是世界存储芯片技术的领头羊，在当代科技供应链中占据重要地位，在此次闪存峰会期间，三星携带最新技术成果亮相，向与会各界展示其在存储领域的重要进展，此次会上，三星的目标是数据中心时代的闪存创新。

在本届闪存峰会上，Device Solutions America 总裁 Jinman Han 在主题演讲中讨论了三星如何在人工智能时代重新构想内存创新。三星内存解决方案产品与开发公司执行副总裁 Yong Ho Song 在主题演讲中透露，该技术领导者的愿景是在从产品规划到开发、服务和未来管理的整个过程中，作为值得信赖的合作伙伴推动客户取得成功。主题演讲强调客户的成功是公司的首要任务。随着数据及其众多应用程序的指数级增长，客户运营服务器和数据中心的要求也在不断扩大。服务器存储市场需要恒定的功率、空间、和性能创新。除了开发最新技术和解决方案来满足高性能需求之外，在机架功率限制内实现最大容量也是一项挑战。

峰会期间，三星还宣布了多个新产品：

PM1743服务器SSD在去年的FMS上首次亮相，业界率先采用PCIe 5.0接口，实现了前代产品两倍的功耗效率。预计今年它会在生成人工智能领域得到积极使用，例如 ChatGPT。

PM9D3a 支持 PCIe 5.01 标准，配备 8 通道控制器，与上一代 PM9A3 相比，顺序读取性能提高高达 2.3 倍，随机写入性能提高 2 倍以上。这扩展了每 TB 容量的性能，以 8TB 的速度提供每秒 400K 的输入/输出操作 (IOPS)。它还将行业领先的能效提高了 60%，并显着增强了数据中心维护所必需的遥测和调试功能。PM9D3a实现了2.5Mhr的平均无故障时间（MTBF），比上一代提升了25%，让客户能够运营更稳定的服务。三星已完成大容量7.68/15.36TB 2.5英寸标准产品PM9D3a的开发，并计划在明年上半年推出多种外形尺寸和产品阵容，以满足客户需求。其中包括 3.84TB 及以下、最高 30.72TB 的产品。

基于QLC NAND的256TB SSD是在单服务器机架功率限制和物理空间限制内实现最大数据存储的解决方案，实现了业界最高水平的集成密度。与堆叠 8 个 32TB SSD 相比，尽管存储相同数量的数据，但每个 256TB SSD 的功耗大约降低了 7 倍。

SK海力士（SK hynix）：推出全球首款 321 层 NAND 样品和存储解决方案

作为存储芯片的重要力量，SK海力士也在此次峰会上报告了最新的研发成果。SK 海力士以“United Through Technology”为口号，展示了突破性的内存解决方案，延续了这一创新传统。活动期间，SK海力士高管发表主题演讲，分享公司在存储器领域的发展。

SK海力士高管Choi透露，公司目前正在开发全球首款321层NAND产品，即第五代4D NAND。Choi表示，这款新产品是业界首款超过300层的新产品，将帮助该公司巩固其在NAND领域的技术领先地位。同时，Ahn介绍了该公司的超高性能UFS 4.0和PCIe 5th用于数据中心和 PC 的第五代 (Gen5) SSD 产品。SSD产品的持续发展至关重要，因为它们将成为多模态人工智能应用的重要存储解决方案，在各种平台上分析和计算大量数据。两人最后表示，SK 海力士致力于通过开发下一代 PCIe Gen6 SSD 和基于 UFS 5.0 内存的产品来支持多模式人工智能和其他先进技术。

SK 海力士不断寻求在性能和可靠性方面提升其 4D NAND 技术。该公司于 2018 年开发了业界首款基于电荷陷阱闪存(CTF) 的 96 层 4D NAND，成为进一步创新的启动平台，四年后又开发出了238 层 4D NAND，创下了另一个行业第一。SK 海力士延续了这一行业第一，展示了其 321 层 1 Tb 4D NAND 样品，与上一代 238 层 512 Gb NAND 芯片相比，其生产率提高了 59%。这一改进是通过技术发展实现的，技术发展使得单个芯片上可以堆叠更多的单元和更大的存储容量，从而增加单个晶圆的总容量。

随后，突破性的 321 层 NAND 产品与其他 NAND 解决方案一起在 SK 海力士展位上亮相，其中包括该公司 名为 PS1030的 PCle Gen5 企业级 SSD (eSSD)，它采用 V7 NAND。PS1030应用于超微服务器进行演示，可提供业界最快的顺序读取速度——14,800 MB/s。它还提供 3,300 kIOPS的随机读取性能，凸显了其作为高性能 eSSD 的规格。

镁光（Micron）：下一代 HBM 突破极限

内存是机器学习中最大的瓶颈之一。反过来，用于在数据中心训练机器学习 (ML) 模型的人工智能加速器和执行这些模型的处理器的运行速度只能与从内存中访问数据的速度一样快。随着这些模型变得越来越大，芯片需要更多的内存来存储它们，并需要尽可能多的内存带宽来更快地获取数据。

美光正试图通过专为人工智能构建的数据中心和超级计算机的新一代高带宽内存 (HBM) （称为 HBM3 Gen2）来克服内存瓶颈。

美光科技表示，这款 24GB 芯片的每瓦性能实现了 2.5 倍的一代飞跃，在性能、容量和能效等对数据中心很重要的几个指标上创下了“新纪录”。

其最新的 HBM3 内存具有更快的信号传输速率，每个引脚高达 9.2 Gb/s，从而提供超过 1.2 Tb/s 的内存带宽。这家存储芯片巨头宣称，这比三星电子和 SK 海力士的基本 HBM3 芯片提高了 50%。此外，这些芯片的内存密度比竞争对手推出的 HBM3 Gen2（也称为 HBM3E）高出 50%。

其他企业：

在本次峰会上，还有其他企业也纷纷带来最新的研发成果。

Solidigm也出席并推广了其最后一款 D5-P5336 61.44TB SSD，可提供超密集 2U 存储服务器。

Marvell推出了 Bravera 存储控制器，这是 PCIe Gen 5 迭代，再次证实第五代现已变得无处不在，即使对于更多工作负载来说，Gen 4 已经足够好了。

Microchip和NEO也到场，后者积极推广其3D DRAM。

Swissbit推出了 D1200 PCIe Gen 4 NVMe SSD。

西部数据（Western Digital,）虽然规模不大，但还是展示了 3 款新产品：OpenFlex Data24 3200 NVMe-oF JBOF、2019 年收购 Kazan Networks 后的 RapidFlex A2000 和 C2000 NVMe-oF 光纤桥接设备，以及其最后一款 SSD Ultrastar DC SN655 PCIe Gen 4.0 双端口 NVMe 驱动器。

群联（Phison）选择了一个外部场地，但分享了一些有关其 X2 PCIe Gen 5 SSD 的有趣消息，希捷（Seagate Technology）、E26、E27T 及其开发平台 Imagin+ 已经选择了该产品。

 

在2023年3月18日发布的第三届大观·可惟为世界品牌价值900强榜单中，三星集团（Samsung Electronics）的品牌价值为6094.85亿元人民币，排名第30位；SK海力士（SK Hynix）的品牌价值为4431.33亿元人民币，排名第49位；美光科技（Micron Technology）的品牌价值为654.25亿元人民币，排名第433位；希捷科技（Seagate Technology）的品牌价值为696.98亿元人民币，排名第410。

 

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作者：Snow

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